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Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, DC – 1.4 GHz

Description The GTVA126001EC and GTVA126001FC are 600-watt GaN on SiC high electron mobility transistors (HEMT) for use in the DC - 1.4 GHz frequecy band. They feature input matching, high efficiency, and thermallyenhanced packages. Features • GaN on SiC HEMT technology • Input matched • Ty

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 600 W, 50 V, 1200 ??1400 MHz

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Cree

科锐

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科锐

CW126001UKTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CW126001UKTM

  • 制造商

    ST Ericsson

  • 功能描述

    - Tape and Reel

  • 制造商

    ST-Ericsson

  • 功能描述

    - Tape and Reel

更新时间:2025-8-17 17:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
23+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
INFINEON
23+
7000
Wolfspeed
22+
H-36248-2
1200
只做原装,假一罚十价格低。
WOLFSPEED
24+
N/A
1384
原装原装原装
24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
Wolfspeed
25+
Tube
4430
郑重承诺只做原装进口现货
ST
2405+
原厂封装
50000
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271743邹小姐
INFINEON/英飞凌
24+
244
现货供应

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