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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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CTNS-4606S | FastRecoveryandHighPowerDiode 文件：438.12 Kbytes Page：7 Pages | SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦 |  |   |
NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4606usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6.9A RDS(ON) | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 |  | | |
HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
TUBEAXIAL
| EBMPAPST ebm-papst |  | | |
Binaryreductionvalve 文件：99.4 Kbytes Page：1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司 |  | | |
N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET 文件：1.22669 Mbytes Page：14 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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