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CS8312YDR8

IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation

Description The CS8312 is a bipolar microprocessor interface IC designed to drive an IGBT (or logic level MOSFETs) powering large inductive loads in harsh operating environments. The ICÕs dynamic current limit function lets the microprocessor adjust the current limit threshold to the real time ne

CHERRY

CS8312YDR8

IGBT Ignition Predriver

The CS8312 is a bipolar microprocessor interface IC designed to drive an IGBT (or logic level MOSFETs) powering large inductive loads in harsh operating environments. The IC’s dynamic current limit function lets the microprocessor adjust the current limit threshold to the real time needs of the sy

ONSEMI

安森美半导体

CS8312YDR8

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

ONSEMI

安森美半导体

CS8312YDR8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CS8312YDR8

  • 功能描述

    IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    40ns 电流 -

  • 9A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    -

  • 电源电压

    4.5 V ~ 35 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA

  • 供应商设备封装

    TO-263

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-8 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1440
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