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Silicon N-Channel Power MOSFET

Features: - Fast Switching - LowON Resistance(Rdson≤0.50Ω) - Low Gate Charge (Typical Data:28nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:21pF) - 100%Single Pulse avalanche energy Test

HUAJING-MICRO

华润微电子

300V-900V NMOS

CRMICRO

华润微电子

更新时间:2025-12-24 23:51:00
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