| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on): | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger. 文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | | |
N-channelEnhancedVDMOSFETs 文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode 文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages | IXYS IXYS Corporation |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTEK |
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2012-12-3
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