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60 V PNP General-Purpose Transistor

Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and

ONSEMI

安森美半导体

PNP General-Purpose Transistor

Description This device is designed for use with general−purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. These devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS compliant.

ONSEMI

安森美半导体

60 V PNP General-Purpose Transistor

Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistor

Features - AEC-Q101 Qualified. - Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating. - Moisture sensitivity Level 1. - High conductance.

COMCHIP

典琦

808 MHz Center Frequency

文件:44.39 Kbytes Page:2 Pages

KR

更新时间:2026-3-13 16:05:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    CS20-5.000MABJ-TR,CS20605CTX500J/104K

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  • CS30CL

    CS30CL 原装现货

    2019-8-8
  • CS2N60A4HY

    CS2N60A4HY,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2012-12-3