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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM150N30E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) wit

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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更新时间:2025-8-8 17:19:01
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ADI/亚德诺
23+
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22+
66900
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