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CEB13N65S	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED13N65S	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,12.3A,RDS(ON)=0.32W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEF13N65S	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
13N65A	13A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor 文件：685.58 Kbytes Page：5 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
13N65B	N-ChannelMOSFET650V,14A,0.46(ohm) 文件：835.88 Kbytes Page：6 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.

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更新时间：2025-6-7 23:01:01

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2021-10-17
CS20-5.000MABJ-TR，CS20605CTX500J/104K
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2020-5-13
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描述CS2001是一种智能的电源专用集成电路在汽车使用安全气囊系统。它包含一个电流模式开关稳压器和一个1.2甲片上开关和一个5.0伏，100毫安线性稳压器。线性输出电容的ESR必须在范围更大的MF或3.3100毫瓦如果上限至1.0瓦特的ESR小于100毫瓦，一个系列电阻必须使用。切换台可以配置在任何一个推动或反激式拓扑。升压拓扑结构会产生能量储备VER的是外部电压可调（最高25伏特），通过电阻分压器连接到VFB引脚。在故障事件振动流化床生产条件或者开路或短路时，转换器是关闭。在正常工作条件下（VBAT的>8.0V）时，电流线性稳压器上装载直接通过VBAT的
2013-2-21

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