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High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive ordering code; base P/

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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威世威世科技公司

更新时间:2025-12-24 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
4730
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Vishay(威世)
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TO277,3PowerDFN
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Vishay(威世)
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TO-277A
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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N/A
129133
原装原装原装
VISHAY/威世
24+
TO-277A
60000
VISHAY/威世
23+
TO-277A(SMPC)
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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