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CR8810

12V-300V NMOS

CRMICRO

华润微电子

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HOTTECH

合科泰

更新时间:2025-10-23 9:06:00
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