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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

文件:270.42 Kbytes Page:1 Pages

FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3M

3M Electronics

3M
更新时间:2025-7-1 18:43:01
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    2020-6-28
  • CR0805X7R104JWT技术参数资料

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    2020-6-28
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    製造商:Vishay 產品類型:厚膜電阻器-SMD 系列:CRCW-HPe3 電阻:220kOhms 額定功率:500mW(1/2W) 耐受性:1%_ 溫度系數:100PPM/C 最低工作溫度:-55C 最高工作溫度:+155C 額定電壓:150V 外殼代碼-in:0805 外殼代碼-mm:2012 應用:AutomotiveGrade 特徵:Anti-PulseR

    2019-11-5
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    2019-11-5