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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 22.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching

ISC

无锡固电

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更新时间:2025-10-22 10:32:01
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