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HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

•VDSS................................................................................500V •rDS(ON)(MAX).................................................................4.4Ω •ID............................................................................................3A •Viso.

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

NchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

•VDSS................................................................................500V •rDS(ON)(MAX).................................................................4.4Ω •ID............................................................................................3A •Viso.

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

POWEREX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-5-12 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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    製造商:Vishay 產品類型:厚膜電阻器-SMD 系列:CRCW-HPe3 電阻:220kOhms 額定功率:500mW(1/2W) 耐受性:1%_ 溫度系數:100PPM/C 最低工作溫度:-55C 最高工作溫度:+155C 額定電壓:150V 外殼代碼-in:0805 外殼代碼-mm:2012 應用:AutomotiveGrade 特徵:Anti-PulseR

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