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Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -5.3A, RDS(ON) = 45mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 80mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

Beaded Ties

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Heyco

OR gate

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

Migrating a microcontroller application from STM32F1 to STM32F2 series

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

DUAL 1A, 1.5MHz SYNCHRONOUS STEP-DOWN DC-DC CONVERTER

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DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-20 9:36:01
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