CPH3355价格

参考价格:¥0.6161

型号:CPH3355-TL-H 品牌:ONSemi 备注:这里有CPH3355多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,CPH3355批发/采购报价,CPH3355行情走势销售排行榜,CPH3355报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CPH3355

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Features • ON-resistance RDS(on)1=120mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance

SANYO

三洋

CPH3355

Single P-Channel Power MOSFET

Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance

ONSEMI

安森美半导体

CPH3355

Single P-Channel Power MOSFET, -30V, -2.5A, 156mΩ

ONSEMI

安森美半导体

Single P-Channel Power MOSFET

Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance

ONSEMI

安森美半导体

Single P-Channel Power MOSFET

Features • On-resistance RDS(on)1=120mΩ (typ) • 4V drive • Halogen free compliance

ONSEMI

安森美半导体

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYO

三洋

General-Purpose Switching Device Applications

文件:557.17 Kbytes Page:7 Pages

SANYO

三洋

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier

BELLING

上海贝岭

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

Nylon Cable Clamps

文件:84.39 Kbytes Page:1 Pages

HEYCO

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

文件:100.33 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Designing an application board compatible with either

文件:103.24 Kbytes Page:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

CPH3355产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CPH3355

  • 功能描述

    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-13 9:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
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ON
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SOT23-3
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SC-59
60000
ON(安森美)
25+
标准封装
8800
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