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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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CP2102R产品属性
- 类型
描述
- 型号
CP2102R
- 功能描述
输入/输出控制器接口集成电路 Enhanced USB to UART Bridge Chip
- RoHS
否
- 制造商
Silicon Labs
- 最大工作温度
+ 85 C
- 最小工作温度
- 40 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
QFN-64
- 封装
Tray
CP2102R规格书下载地址
CP2102R参数引脚图相关
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- d2004
- d2002
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- d1004
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- c波段
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- cs5532
- cs1
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- CP2180A
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2022-8-2CP2112-F03-GM
原装代理
2022-5-31CP2105-F01
CP2105-F01，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-2-25
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