Power Transistor NPN - Darlington Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL BASE Die Size 111 X 111 MILS Die Thickness 10 MILS Base Bonding Pad Area 20 X 30 MILS Emitter Bonding Pad Area 20 X 26 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au/Cr/Ni/Au - Ni-6,000Å, Au-6,000Å

Power Transistor NPN - Darlington Chip

包装：散装 描述：LENS ASSY 1POS 10.8MM ROUND 光电器件 光学 - 镜头

P-Channel JFET Die

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PNP - High Voltage Transistor Die

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Chip Form: Darlington Power Transistor

P-Channel JFET Die

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PNP - High Voltage Transistor Die

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Chip Form: Darlington Power Transistor

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PNP - High Voltage Transistor Die

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PNP - High Voltage Transistor Die

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P-Channel JFET Die

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包装：散装 描述：COMPRESSOR 工业用品 维护 - 空气压缩机工具和配件

P-Channel JFET Die

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PNP - High Voltage Transistor Die

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PNP - High Voltage Transistor Die

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Electrician’s Multimeter with Non-Contact Voltage

Features include: • VoltAlert™ technology for non-contact voltage detection • AutoVolt automatic ac/dc voltage selection • LoZ: helps prevent false readings due to ghost voltage • Large white LED backlight to work in poorly lit areas • True-rms for accurate measurements on non-linear loads •

RENESAS MCU

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Point-to-point Wiring

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1?쓝1??Stratum 3 OCXO

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RENESAS MCU

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