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CopperWire

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

2--500 MHz, 600 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed primarily for wideband applications with frequencies up to 500 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in broadcast applications. • Typical DVB--T OFDM Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

CopperWire

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

COPPERWIRE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    COPPERWIRE

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

更新时间:2025-12-24 23:51:00
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