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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM Description The MWS5114 is a 1024 word by 4-bit static random access memory that uses the ion-implanted silicon gate complementary MOS (CMOS) technology. It is designed for use in memory systems where low power and simplicity in use are desirable. This type has common data input and data output | INTERSIL |   | ||
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM 文件：113.94 Kbytes Page：8 Pages | INTERSIL | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS |
23+ |
DIP |
320 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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HARRIS |
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DIP |
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受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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HARRIS |
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DIP |
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DIP-18 |
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HARRIS |
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HARRIS/哈里斯 |
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DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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H |
2308+ |
CDIP |
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RCA |
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DIP18 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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TI |
25+ |
SBDIP-18 |
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样件支持,可原厂排单订货! |
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HARRIS |
18+ |
DIP |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
CMM5114D1DZ规格书下载地址
CMM5114D1DZ参数引脚图相关
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2019-10-26CMP401GRUZ
AD7706BRUZ ADI 19+ 5000 AD7811YRUZ ADI 19+ 5000 AD42/320Z-0 ADI 19+ 5000 AD7798BRUZ ADI 19+ 5000 AD7819YRU ADI 19+ 5000 AD5232BRUZ10 ADI 19+ 5000 AD5308WARUZ ADI 19+ 5000 AD7357YRUZ ADI 19+ 5000 ADF4111BRUZ ADI 19+ 5000 ADG5213BRUZ ADI 19+ 5000 ADG5433WBRUZ ADI 19+ 5000 AD7796BRUZ ADI 19+
2019-8-1
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