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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM Description The MWS5114 is a 1024 word by 4-bit static random access memory that uses the ion-implanted silicon gate complementary MOS (CMOS) technology. It is designed for use in memory systems where low power and simplicity in use are desirable. This type has common data input and data output | Intersil |   | ||
1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM 文件：113.94 Kbytes Page：8 Pages | Intersil | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CMM5114D1DZ参数引脚图相关
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AD7706BRUZ ADI 19+ 5000 AD7811YRUZ ADI 19+ 5000 AD42/320Z-0 ADI 19+ 5000 AD7798BRUZ ADI 19+ 5000 AD7819YRU ADI 19+ 5000 AD5232BRUZ10 ADI 19+ 5000 AD5308WARUZ ADI 19+ 5000 AD7357YRUZ ADI 19+ 5000 ADF4111BRUZ ADI 19+ 5000 ADG5213BRUZ ADI 19+ 5000 ADG5433WBRUZ ADI 19+ 5000 AD7796BRUZ ADI 19+
2019-8-1
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