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MRF18085A	TheRFMOSFETLineRFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF18085A	RFPowerFieldEffectTransistors DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications.SpecifiedforGSM-GSMEDGE1805-1880MHz. •GSMandGSMEDGEP	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRF18085B	RFPowerFieldEffectTransistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. •GSMandGSMEDGEPerformance,FullF	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MRF18085B	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. •GSMandGSMEDGEPerformance,FullFrequencyBand(193	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
IE18085P	GaNPowerTransistors 文件：803.61 Kbytes Page：7 Pages	RFHICRFHIC RFHIC

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更新时间：2024-5-29 14:40:01

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2019-8-1

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