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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 20V,ID =6.4A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

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未分类制造商

VHB?줥apes

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3M

Relampable Indicator Light

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VCC

VHB Tape - Specialty Tapes

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3M

更新时间:2025-12-30 9:48:01
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