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1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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Ultra low forward voltage drop, low power loss

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CMFB20120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CMFB20120

  • 制造商

    Siemens

更新时间:2025-10-4 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AO/万代
25+
TO-247TO-3P
2500
原装正品,欢迎来电咨询!
AOS/万代
21+
TO247
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
AOS/万代
23+
TO247
24190
原装正品代理渠道价格优势
Alpha & Omega Semiconductor In
23+
TO247
9000
原装正品,支持实单
AO/万代
24+
TO-247TO-3P
18131
公司现货库存 支持实单
AOS/万代
23+
TO247
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
N/A
82000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
AOS/万代
22+
TO247
25000
AOS/万代全系列在售
AOS/万代
23+
50000
全新原装正品现货,支持订货

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