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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.38ohm,Id=9.4A)

SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRF

SMPSMOSFET

SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件:1.76292 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETTransistor

文件:336.4 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

文件:336.4 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-6-8 13:44:01
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