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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

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Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors

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Metal Film Resistors Metal Film Resistors

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Ideal resistor for precision instrumentation

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更新时间:2026-3-12 9:50:01
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