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N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Low RDS(on) • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (

VBSEMI

微碧半导体

25A 500V N-channel enhanced field effect transistor

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YFWDIODE

佑风微

This new power MOSFET realized the low switching loss and low switching noise

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THINKISEMI

思祁半导体

Power switch circuit of adaptor and charger.

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-10-20 17:18:01
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BOURNS/伯恩斯
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