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MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

Description: MitsubishiIGBTModulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfromtheheats

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

DualIGBTMOD50Amperes/600Volts

Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverseconnectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

POWEREX

CM50DY-12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CM50DY-12

  • 功能描述

    IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    IGBTMOD™

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2025-6-9 9:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
23+
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2023+
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23+
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专业代理销售半导体模块,能提供更多数量

CM50DY-12芯片相关品牌

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