型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 20V/12A, RDS(ON)=55mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • High Power and Current Handling Capability • TO-252 and SOT-223 Packages Applications • Switching R | ANPEC 茂达电子 | |||
Highpass Filter 文件:15.33 Kbytes Page:1 Pages | KR | |||
Universal Bushings 文件:105.3 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
Open/Closed Universal Bushings 文件:105.53 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
SYSDRIVE 3G3HV Series 文件:173.29 Kbytes Page:20 Pages | OMRON 欧姆龙 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-11-3CL112A104J0701
属性 参数值 商品目录 聚酯薄膜电容 脚间距(mm) 7 精度 ±5%_ 容值 100nF 额定直流耐压DC 100V 工作温度 -40℃ ~ +85℃
2020-11-11CL10X106MR8NNNC
CL10X106MR8NNNC
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2019-10-29
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