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P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-ChannelMOSFET

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WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半导体微硕半导体(深圳)有限公司

WIINSOK
更新时间:2025-8-3 12:00:01
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