| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 |  |   | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,4A,RDS(ON)=2.4W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,4A,RDS(ON)=2.4Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package. | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | | |
PowerMOSFET 文件：1.9873 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET/华瑞 |
2020+ |
SOT263 |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
CET |
22+ |
TO-263 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
CET |
23+ |
TO-263 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
CET |
21+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBsemi |
21+ |
T0-263 |
15500 |
||||
VB |
2019 |
T0-263 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
CETSEMICO |
21+ |
35200 |
一级代理/放心采购 |
||||
CET/华瑞 |
22+ |
35000 |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
||||
CET |
21+ |
TO-263 |
40000 |
原装现货假一赔十 |
|||
CET/華瑞 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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