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Chip Bead CIC/CIS Series For High Current

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Samsung

三星

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Chip Bead For EMI Suppression

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Samsung

三星

Chip Bead CIB/CIM Series For EMI Suppression

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Samsung

三星

更新时间:2025-8-7 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG(三星)
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NA/
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SAMSUNG/三星
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0603(1608 公制)
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SAMSUNG/三星
19+
SMD
112000
原装现货

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    Ci523,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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    CHY100D-TL,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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