Type-C 转音频+快速充电芯片

CH225K/225S 单芯片集成 USB PD 协议，同时支持数据角色和电源角色切换，最大可提供 5V/1.5A充电功率(可定制，最大 5V/3A)，其中 CH225S 同时支持 DisplayPort(简称 DP)视频输出拓展，内置PD 通讯模块，集成度高，外围精简。CH226S 是 CH225 的升级版本，充电端口支持 PD2.0、BC1.2 握手协议，最大可提供 12V/3A 的充电功率。该芯片可广泛应用于手机、平板等 Type-C 充电口扩展音频，同时不影响充电的场合。 • 支持主机端 Type-C 端口数据角色和电源角色切换\r\n• 支持充电端 Type-C 母口正反插检测与自动切换\r\n• 支持 DP 视频信号输出（仅 CH225S）\r\n• 支持模拟耳机和数字耳机兼容（仅 CH225S）\r\n• 支持充电端的 PD2.0、BC1.2 快充协议通讯（仅 CH226S）\r\n• 单芯片集成度高，外围精简，成本低\r\n• 内置过压保护模块 OVA、超温保护模块 OTA;

NPN video transistor

DESCRIPTION NPN silicon transistor encapsulated in a 4-lead plastic SOT223 package. APPLICATIONS • Primarily intended for cascode output and buffer stages in high resolution colour monitors.

Germanium PNP Transistor Audio Power Amp

Description: The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–power output applications. Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 35V Collector–Emitter Voltage (RB

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)

SILICON TRIACS

Features ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 50 mA (Quadrants 1 - 3)