位置：首页 > IC中文资料 > CGH35060F2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CGH35060F2 | 60 W, 3.1 - 3.5 GHz, 28 V, GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGH35060F2/P2 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH35060F2/P2 ideal for 3.1 - 3.5 GHz S-band pulsed amplifier applications. The transi | WOLFSPEED |   | |
CGH35060F2 | 封装/外壳：440193 包装：托盘 描述：60W GAN HEMT 28V 4.0GHZ FLANGE 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | |
CGH35060F2 | 60-W; 3100 – 3500-MHz; 28-V GaN HEMT | MACOM | | |
CGH35060F2 | 60 W, 3100-3500 MHz, 28V, GaN HEMT 文件：1.49392 Mbytes Page：11 Pages | Cree 科锐 | | |
60 W, 3100-3500 MHz, 28V, GaN HEMT 文件：1.49392 Mbytes Page：11 Pages | Cree 科锐 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Wolfspeed |
25+ |
Tube |
4430 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
Cree/Wolfspeed |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
CREE/科锐 |
24+ |
SMD |
60000 |
全新原装现货 |
|||
CREE |
23+ |
SMD |
25339 |
##公司100%原装现货 假一罚十!可含税13%免费提供样 |
|||
Cree |
2023+ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
||||
CORNELLDUBILIER-CDE |
23+ |
Bulk |
73556 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
61000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
CREE |
2308+ |
原厂原包 |
6850 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
|||
CORNELLDUBILIER-CDE |
21+ |
Bulk |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
CREE(科锐) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
CGH35060F2规格书下载地址
CGH35060F2参数引脚图相关
- d402
- d325
- d2007
- d2004
- d2002
- d126
- d1004
- d1002
- c波段
- cw7805
- cs5532
- cs1
- cpld
- cp10
- connector
- cob
- cmos传感器
- cmos
- cm2006
- cicret
- CGP2K
- CGP20
- CGP1K
- CGP15
- CGP1.5K
- CGOV5S3
- CGOV3S3
- CGOF5S3
- CGOF3S3
- CGO869
- CG-NPT
- CGM-22
- CGM-14
- CGL-B
- CGL600W
- CGL3K
- CGL300W
- CGL2K
- CGL1.5K
- CGH-5
- CGH40010F-TB
- CGH40010F-AMP
- CGH40010_15
- CGH40010
- CGH40006S-TR
- CGH40006S
- CGH40006P-TB
- CGH40006P-AMP
- CGH40006P
- CGH382T350W4L
- CGH362T500X5-C
- CGH362T450X4L
- CGH35240F-TB
- CGH35240F-AMP
- CGH35240F
- CGH35240
- CGH351T500V2-C
- CGH35060-TB
- CGH35060P1
- CGH35060F2-AMP
- CGH35060F1-TB
- CGH35060F1-AMP
- CGH35060F1_P1
- CGH35060F1
- CGH35030-TB
- CGH35030F-AMP
- CGH35030F_15
- CGH35030F
- CGH-3502205JLF
- CGH-3502205GLF
- CGH-3502205FLF
- CGH-3502205DLF
- CGH35015-TB
- CGH35015P
- CGH35015F-AMP
- CGH35015F
- CGH35015
- CGH312T500X4L
- CGH312T450W5L
- CGH312T350V5L
- CGH-3
- CGH-2
- CGH-1
- CGH_17
- CGDT76
- CGD944C
- CGD942C
- CGD923
- CGD914
- CGD888C
- CGD3.5K
- CGD2.5K
- CGD1042
- CGD1.5K
- CGB241
- CGB240B
- CGB240
- CG90SN
- CG90MS
- CG90LTR
CGH35060F2数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40010F 全新原装，只做原装
CGH40010F 十年IC，因为专注，所以专业
2021-7-12CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH40010F/P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 10 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
