| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：423.3 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 |   | ||
NPT IGBT Modules 文件：739.22 Kbytes Page：7 Pages | SIRECTIFIER 矽莱克电子 | |
更新时间：2025-12-30 14:37:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ABOV |
24+ |
NA/ |
9882 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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HY |
04+ |
SOP |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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HAR |
24+ |
DIP |
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HYNIX |
25+ |
SOP |
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全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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HY |
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SOP |
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HYNIX |
22+ |
SOP |
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原装正品支持实单 |
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NK/南科功率 |
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DFN5X6-8L |
986966 |
国产 |
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HY |
22+ |
SOP |
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公司只做原装 品质保障 |
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ABOV/现代 |
24+ |
SOP-28 |
60000 |
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HY |
23+ |
SOP |
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全新原装正品现货,支持订货 |
CGG50N12规格书下载地址
CGG50N12参数引脚图相关
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CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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