| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Rectifier diodes Schottky barrier GENERAL DESCRIPTION Dual schottky rectifier diodes intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The BYV116 series is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The BYV116B series is supplied in the SOT404 surface mounting p | PHILIPS 飞利浦 | |||
General Purpose Silicon Rectifier Description: The NTE116 is a general purpose silicon rectifier in a DO–41 case designed for low power and switching applications. | NTE | |||
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) | ONSEMI 安森美半导体 | |||
POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)
| MOSPEC 统懋 | |||
DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
| MOTOROLA 摩托罗拉 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CGB116规格书下载地址
CGB116参数引脚图相关
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CGB116数据表相关新闻
CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC(氮化镓基于碳化硅)射频功率晶体管,专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌 镁可
2025-3-26CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器,具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用,包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时,它还具有高可靠性和长寿命,能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
2019-12-7CGH21240F
Cree, Inc. 240W, GaN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHz, Flange
2019-12-7CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-7-23CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司0755-83203002
联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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