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CG2H80030D	30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’s CG2H80030D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMT	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CG2H80030D	30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die 文件：824.47 Kbytes Page：5 Pages	CREE 科锐	CREE
CG2H80030D	30-W, 8.0-GHz, GaN HEMT Die	MACOM	MACOM
CG2H80030D-GP4	30 W; 8.0 GHz; GaN HEMT Die	MACOM	MACOM
CG2H80030D-GP4	封装/外壳：模具包装：托盘描述：RF MOSFET HEMT 28V DIE 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	WOLFSPEED	WOLFSPEED

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更新时间：2026-3-15 14:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-4-12
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2023-4-12
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2020-7-7
CGA3E1C0G2A392J080AE，专业销售车规IC，60天超产账期支持，兴中扬电子
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2020-7-7
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-7-2
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2019-6-14