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CG2H30070F	70 W, DC - 4.0 GHz, 28 V, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CG2H30070F is an internally matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H30070F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, hi	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CG2H30070F	70-W; 0.5-3.0 GHz; GaN HEMT	MACOM	MACOM
CG2H30070F	70 W, 0.5??.0 GHz, 28 V, RF Power GaN HEMT 文件：1.48643 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CG2H30070F-AMP2	70-W; 0.5-3.0 GHz; GaN HEMT	MACOM	MACOM

CG2H30070F供应商更多...

更新时间：2025-11-17 23:00:00

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CG2179M2-C4
2023-4-12
CG2214M6-C2 射频开关 IC 802.11b/g/n/ac SPDT 3 GHz 50 欧姆 6-迷你型模塑
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2023-4-12
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2022-8-5
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2020-7-7
CG2H30070F
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2019-7-2
CG7120MS
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2019-6-14