中高浪涌气体放电管（GDT）

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu •牢固的陶瓷金属结构\n• 低电容（<1.5pf）\n• 符合REA PE-80标准\n• 提供表面贴装和多种引线选择;

中高浪涌气体放电管（GDT）

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu • 牢固的陶瓷金属结构\n• 低电容（<1.5pf）\n• 符合REA PE-80标准\n• 提供表面贴装和多种引线选择;

中高浪涌气体放电管（GDT）

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu • 牢固的陶瓷金属结构\n• 低电容（<1.5pf）\n• 符合REA PE-80标准\n• 提供表面贴装和多种引线选择;

RF POWER AMPLIFIER

The RF Line Broadband RF Array for TV Transmitter The MRFA2600 is a solid state class A amplifier and is specifically designed for TV transposers and transmitters. This amplifier incorporates microstrip technology and reliable Motorola push–pull transistors. • Specified 26.5 Volts: 470–860 MHz

LIGHT BARS

Low-voltage avalanche regulator double diodes

DESCRIPTION The PLVA2600A series consists of two high performance voltage regulator diodes with common anodes, in small SOT23 plastic SMD packages. The series consists of PLVA2650A to PLVA2668A. FEATURES • Very low dynamic impedance at low currents: approximately 1⁄20 of conventional series •

Optocoupler with Phototransistor Output

Description The TCET1600/ TCET2600/ TCET4600 consists of a phototransistor optically coupled to 2 gallium arsenide infrared-emitting diodes in a 4-lead up to 16-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance betw

Silicon NPN Phototransistor

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