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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 102A, RDS(ON) = 3.2 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 4.6 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-6 17:43:01
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