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CEZ100R19

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. 100V, 10A, RDS(ON) = 100mW @VGS = 10V. -100V, -6A, RDS(ON) = 250mW @VGS = -10V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-6 16:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
23+
PR-PACK5x6
141980
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TOSHIBA
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TOSHIBA
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CET/華瑞
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
NK/南科功率
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DFN5060-8
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Toshiba
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