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CEU65P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2025-7-28 9:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
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TO-252
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
CET/華瑞
24+
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60000
CET/華瑞
24+
TO-252
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CET/華瑞
25+
TO-252
156787
明嘉莱只做原装正品现货

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