| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CEU6060N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 34A, RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. | CET 华瑞 |   | |
CEU6060N | N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature | VBSEMI 微碧半导体 | | |
CEU6060N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 34A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. | CET-MOS 华瑞 | | |
CEU6060N | N Channel MOSFET | CET 华瑞 | | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
| CET 华瑞 | | ||
Kompakte I/O-Module 文件：120.95 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Kompakte I/O-Module 文件：120.95 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
6-ch Digital Input and 6-ch Relay Module 文件：632.43 Kbytes Page：1 Pages | ADVANTECH 研华科技 | | ||
16-ch Source-type Isolated Digital I/O Module 文件：138.46 Kbytes Page：1 Pages | ADVANTECH 研华科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ECT |
25+23+ |
TO-252 |
44491 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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CET/華瑞 |
24+ |
NA/ |
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原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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CET |
25+ |
TO-252 |
13500 |
原装正品,假一罚十! |
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CET |
19+ |
TO-252 |
39582 |
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SR |
23+ |
TO252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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CET/華瑞 |
25+ |
TO-252 |
1040 |
全新原装正品支持含税 |
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VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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CET |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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CET/華瑞 |
2022+ |
SOT-252 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
CEU6060N规格书下载地址
CEU6060N参数引脚图相关
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