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CEU50N06G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 40A , RDS(ON) = 20mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH
更新时间:2025-8-6 13:01:00
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CET
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CET/華瑞
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CET/華瑞
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