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CET价格

参考价格：￥3171.3121

型号：CET-0 品牌： 备注：这里有CET多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CET批发/采购报价，CET行情走势销售排行榜，CET报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CET0215

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■150V,2A,RDS(ON)=440mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=580mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET04N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3055

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●60V,4A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3055L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3133

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-10A,RDS(ON)=19mW@VGS=-10V. RDS(ON)=29mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET3252

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4301

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-40V,-6.3A,RDS(ON)=44mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=68mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4401B

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-40V,-4.9A,RDS(ON)=57mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-30V,-8.8A,RDS(ON)=24mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=35mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4435A

P-Channel 35 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
CET4435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET451AN

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●30V,7.2A,RDS(ON)=35mW@VGS=10V.RDS(ON)=50mW@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET453N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6426

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET6601A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET6861

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-60V,-3.5A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=170mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6961

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.1A,RDS(ON)=110mW@VGS=-10V. RDS(ON)=150mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET9435A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET9435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET16M0CSV53-R0

MHz Chip Type -Tight Frequency Tolerance for Automotive-

文件：946.43 Kbytes Page：17 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata
CET16M0CSV53-R0

Ceramic Resonators (CERALOCK)

文件：1.17216 Mbytes Page：45 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata
CET3055L_09

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：372.16 Kbytes Page：4 Pages

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3904E

COMPLEMENTARY PICOminiTM SILICON TRANSISTORS

文件：188.76 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3904E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3904E_10

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E

COMPLEMENTARY PICOminiTM SILICON TRANSISTORS

文件：188.76 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E TR PBFREE

封装/外壳：SC-101，SOT-883 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT883 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET-APD-51

包装：散装 描述：TOOLS 工具 插拔工具

ITTCannon

ITT Cannon, LLC

ITTCannon

CET产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CET

  • 制造商

    ITT Interconnect Solutions

  • 功能描述

    CET 12-2

CET供应商更多...

更新时间：2025-5-14 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
CET04N10
VB
24+
SOT-223
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市威雅利发展有限公司
CET04N10
CET
17+
SOT-223
12500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
CET04N10
CET/華瑞
22+
SOT-223
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
CET04N10
CCSEMI/芯能圆
24+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
CET04N10
CET/華瑞
25+
SOT-223
156762
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
CET04N10
CET/華瑞
21+
SOT223
13880
公司只售原装,支持实单
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
CET04N10
CET
1822+
SOT-223
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
CET04N10
CET
25+
SOT-223
100
原装正品,假一罚十!
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
CET04N10
CET
21+
SOT223
45228
原装现货假一赔十
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
CET04N10
CET
23+
SOT223
15000
全新原装现货,价格优势
询价

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