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CET价格

参考价格：￥3171.3121

型号：CET-0 品牌： 备注：这里有CET多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CET批发/采购报价，CET行情走势销售排行榜，CET报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CET0215

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■150V,2A,RDS(ON)=440mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=580mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET04N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3055

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●60V,4A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3055L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3133

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-10A,RDS(ON)=19mW@VGS=-10V. RDS(ON)=29mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET3252

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=45mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4301

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-40V,-6.3A,RDS(ON)=44mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=68mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4401B

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-40V,-4.9A,RDS(ON)=57mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-30V,-8.8A,RDS(ON)=24mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=35mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET4435A

P-Channel 35 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
CET4435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET451AN

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ●30V,7.2A,RDS(ON)=35mW@VGS=10V.RDS(ON)=50mW@VGS=4.5V. ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET453N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■30V,8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-223Package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6426

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6601

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET6601A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET6861

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■-60V,-3.5A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=170mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET6961

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V,-4.1A,RDS(ON)=110mW@VGS=-10V. RDS(ON)=150mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET9435A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET9435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CET16M0CSV53-R0

MHz Chip Type -Tight Frequency Tolerance for Automotive-

文件：946.43 Kbytes Page：17 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata
CET16M0CSV53-R0

Ceramic Resonators (CERALOCK)

文件：1.17216 Mbytes Page：45 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata
CET3055L_09

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：372.16 Kbytes Page：4 Pages

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CET3904E

COMPLEMENTARY PICOminiTM SILICON TRANSISTORS

文件：188.76 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3904E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3904E_10

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E

COMPLEMENTARY PICOminiTM SILICON TRANSISTORS

文件：188.76 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件：370.44 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET3906E TR PBFREE

封装/外壳：SC-101，SOT-883 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT883 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
CET-APD-51

包装：散装 描述：TOOLS 工具 插拔工具

ITTCannon

ITT Cannon, LLC

ITTCannon

CET产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CET

  • 制造商

    ITT Interconnect Solutions

  • 功能描述

    CET 12-2

CET供应商更多...

更新时间：2025-7-25 11:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市拓亿芯电子有限公司
CET04N10
CET
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SOT223
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CCSEMI/芯能圆
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深圳市航润创能电子集团有限公司
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SOT223
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