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CEP85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,90A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-263&TO-220package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,90A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-263&TO-220package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 25V,90A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-263&TO-220package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,80A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 25V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更新时间：2024-6-23 20:00:01

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瀚佳科技(深圳)有限公司	CEP85A3PB	CET	2020+	TO-220	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP85A3	SR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	CEP85A3MOS(场效应管)	CET/華瑞	22+	TO-220	3000	原装现货假一赔十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	CEP85N75	CET	2020+	TO-220	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEP85A3	CET/華瑞	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	CEP85A3	C	23+	P-TO220-3-1	10000	公司只做原装正品	询价

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