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CEP75N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 72A, RDS(ON) = 13mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package

CET

华瑞

CEP75N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS

IXYS

艾赛斯

HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS

IXYS

艾赛斯

MegaMOSFET

N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Low package inductance (

IXYS

艾赛斯

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Ultrafast body diode • Rugged polysilicon gate cell structure • Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request

MICROSEMI

美高森美

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:83.41 Kbytes Page:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

CEP75N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEP75N10

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2026-8-1 19:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
21+
TO-220
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CET
23+
TO-220
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
CET
23+
TO220/3
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
CET
24+
TO2203
6734
CET
25+
TO-220
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
CET
12+
TO-220
1396
全新 发货1-2天
SR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
CET
2025+
TO2203
3550
全新原厂原装产品、公司现货销售
C
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
CET/華瑞
2020
SMD
3200
全新、原装

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