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CEP51A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,48A,RDS(ON)=16.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB51A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,48A,RDS(ON)=16.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED51A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,35A,RDS(ON)=14mΩ(typ)@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ(typ)@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU51A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,35A,RDS(ON)=14mΩ(typ)@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ(typ)@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CHM51A3PAPT	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT35Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO

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更新时间：2024-6-17 11:38:01

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深圳市得捷芯城科技有限公司	CEP51A3	CET/華瑞	23+	NA/	45	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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