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CEP30N3

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET

华瑞

CEP30N3

N Channel MOSFET

CET

华瑞

丝印代码:H30N3FA;30V Trench Single N-Channel MOSFET

Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Synchronous Rectification in SMPS • Hard Switching and High Speed Circuit • Power Tools • Motor Control

HUIXIN

慧芯电子

30V Single N-Channel MOSFET

Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Synchronous Rectification in SMPS • Hard Switching and High Speed Circuit • Power Tools • UPS • Motor Control

HUIXIN

慧芯电子

PACKAGE DIMENSIONS inch (mm)

文件:31.22 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

CEP30N3产品属性

  • 类型

    描述

  • BVDSS(V):

    300

  • Rds(on)mΩ@10V:

    110

  • ID(A):

    30

  • Qg(nC)@10V(typ):

    64

  • RθJC(℃/W):

    0.55

  • Pd(W):

    227

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

更新时间:2026-8-3 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
CET/華瑞
20+
TO-220
7500
现货很近!原厂很远!只做原装
CET/華瑞
2022+
TO-220
50000
原厂代理 终端免费提供样品

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