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CEP260N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,256A,TO-263RDS(ON)typ=1.8mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. TO-220RDS(ON)typ=2.0mW@VGS=10V Batteryprotection,UPS. Applications

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,256A,TO-263RDS(ON)typ=1.8mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. TO-220RDS(ON)typ=2.0mW@VGS=10V Batteryprotection,UPS. Applications

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2025-7-28 11:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-220
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CEPRI
24+
QFP64
57000
只做全新原装进口现货

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