| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CEP02N65A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. | CET 华瑞 |   | |
CEP02N65A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | | |
CEP02N65A | N Channel MOSFET | CET 华瑞 | | |
N -Channel Power MOSFET 文件：327.58 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.84575 Mbytes Page：4 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
Rugged and reliable 文件：193.88 Kbytes Page：11 Pages | SAMHOP 三合微科 | | ||
2A , 650V , RDS(ON) 8 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.44874 Mbytes Page：4 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：577.95 Kbytes Page：5 Pages | SECOS 喜可士 | |
CEP02N65A产品属性
- 类型
描述
- BVDSS(V)：
650
- Rds(on)mΩ@10V：
10500
- ID(A)：
1.3
- Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
- RθJC(℃/W)：
3
- Pd(W)：
41
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
CET |
24+ |
TO220 |
4652 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
CET |
2025+ |
TO2203 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
CET/華瑞 |
20+ |
TO-220 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
CET |
24+ |
TO2203 |
6734 |
||||
CET/華瑞 |
05+ |
TO-220 |
8008 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
CET |
23+ |
TO220/3 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-220 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
CET |
23+24 |
TO-251 |
38754 |
原装正品渠道商,提供BOM一站式配单服务 |
|||
CET/華瑞 |
25+ |
TO-220 |
90000 |
全新原装现货 |
CEP02N65A规格书下载地址
CEP02N65A参数引脚图相关
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- c波段
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- cp10
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2019-11-21
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