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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 40V, 6.1A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V. ■ -40V, -5.2A, RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability

CET

华瑞

CLEAR THRU-HOLE SPACER

文件:238.25 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Nytye®Mounting Platforms

文件:231.87 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

AEC-Q100 Qualifies

文件:922.16 Kbytes Page:28 Pages

ROHM

罗姆

AEC-Q100 Qualifies

文件:922.16 Kbytes Page:28 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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