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CEM3119A-1

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

20V,8A,RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. FEATURES -30V,-6A,RDS(ON)=34mW@VGS=-10V. RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=26mW@VGS=2.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-6-24 11:22:00
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